PROYECTO INGLES


INTRODUCTION


This report will cover not only content if the project if each of the elements of this circuit as their data sheets and a brief explanation of who are the fet and the LM741 op amp contains the objective of what
realistic if the circuit in the hope that this brief work is to your liking I invite you to read




OBJECTIVE




In many situations it is desirable to have an amplifier that provides an output signal of constant amplitude for a wide range of input signal levels with minimum distortion.
A classic solution to this problem is to use a nonlinear amplifier. An operational, for example, operates as a nonlinear amplifier if you include two ant parallel diodes in the feedback loop. This strategy, however, while providing output signal amplitude almost constant, has one drawback: it generates a gross distortion. A more elegant solution is to use a circuit.

In this case, the nonlinear element is replaced by FET (Q1) and its associated components.
When a small signal is applied to the operational (741), its output is small. Consequently, the gate of the FET receives a biased and very low resistance between drain and source is high. Therefore, the voltage gain is high. The opposite happens if the input signal is large. As a result, the average level of the output signal is self-regulated between 1.5V and 2.85V over a 50:1 range of variation in the level of the input signal without causing audible distortion.


THEORETICAL FRAMEWORK


In this part that we know the type FET transistor

FET (Field Effect Transistor)
The FET is composed of part of N-type silicon, to which he added two regions with P type impurities called gate (gate) and are joined together. See figure
The terminals of this type of transistor called Sinking (drain), Source (source) and the third terminal is the gate (gate) is already known. The region between the drain and source and that is the necessary path of electrons is called "channel." Drain current flows (D) to source (S). See graph.
This type o
The FET is a semiconductor device that controls a flow of current through a semiconductor channel, by applying an electric field perpendicular to the current path.

f transistor is polarized differently from the bipolar transistor. The drain terminal is biased positively with respect to the supply terminal (Vdd) and the gate or gate is biased negatively with respect to the source (-VGG).
The higher the voltage, VGG, the channel is narrower and more difficult for current to pass from the drain terminal (drain) to source or source terminal. The tension-VGG for which the channel is closed is called "punch-off" and is different for each FET
The bipolar junction transistor is a current operated device and require changes is the base current to produce changes in the collector current. The FET is controlled by changes in voltage and gate
Voltage (gate) to source (Vgs) change the rarefaction region and cause the channel width varies.








Characteristic FET

This figure shows that increasing the voltage Vds (voltage drain - source), for a Vgs (gate voltage) fixed, the current increases rapidly (behaves like a resistor) to reach a point A (voltage of necking) from where the current remains nearly constant up to a point B (entering the region of disruption or rupture), where the current increases rapidly until the transistor is destroyed.

If this figure is now repeated for more than a gate voltage to pump (Vgs), we obtain a set of graphics. See that Vgs is 0 volts or a voltage value is negative.

If Vds is zero by the transistor will not flow any current. (See graphic at right) to know what the current value using the formula of the transfer characteristic of the FET.

See chart of the transfer characteristic of a FET transistor P-type channel in the lower right graph.

The formula is: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)]) where:
- IDSS is the value of current when Vgs = 0
- Vgs (off) is the voltage when no current flow between drain and source (ID = 0)
- Vgs is the voltage across from the gate and the source for which you want to know ID

RDS channel resistance

As Vgs is the voltage that controls the flow of current ID (regulates the width of the channel), we can compare this behavior as a resistor whose value depends on the voltage VDS. This is only valid for less than the voltage Vds of necking (see point A on the graph.)
So if you have the characteristic of a FET, can be found resistance to the following formula RDS: RDS = VDS / ID


FET symbols are:


Fet channel N ---- Fet channel P

FET TRANSISTOR
FET TRANSISTOR (Introduction)
Known transistors are called bipolar (NPN and PNP), so named because the conduct takes place through the movement of carriers of both polarities (positive holes and negative electrons) and are useful in many applications but have some drawbacks, among which is its very low input impedance.
There are a device that delete this problem in particular and belongs to the family of devices for which there is only one type of charge carriers, and therefore, are single-pole. It is called field-effect transistor.
2) An explanation of the combination of carriers.
Since there is a positive voltage between the drain and the spout, the electrons flow from the pump to the drain (or vice versa depending on the configuration of it), but also should be noted that negligible current flows between the source (or drain) and door, and that the diode formed by the union canal - door, this reverse-biased.
In the case of a diode biased in reverse, where initially the holes flow toward the negative terminal of the battery and the electrons in the material N, flow to the positive terminal of the same.
The above can be applied to the FET transistor, wherein, when VDS increases with increasing impoverishment of a region free charges


When selecting a transistor have to know what kind of package as well as the identification scheme of the terminals. We also have to meet a series of maximum values of voltages, currents and powers must not exceed to avoid destroying the device. The parameter of the power dissipated by the transistor is especially critical temperature, so that this strength decreases with increasing the temperature value, and are sometimes necessary to install a radiator or cooling fins. All these critical values are provided by the manufacturers in the leaves of the features of different devices.

OPERATIONAL AMPLIFIERS


Basic configurations of the operational amplifier Operational amplifiers can be connected in two basic amplifier circuits: configurations (1) investment and (2) no investment.
Almost all other circuits with operational amplifiers are based, somehow, in these two basic configurations. In addition, there are variations closely related to these two tracks, plus another basic circuit is a combination of the first two: the differential amplifier.



• The inverting amplifier
Figure 2 illustrates the first basic configuration of the AO.
The inverting amplifier. In this circuit, the input (+) is grounded, and the signal is applied to the input (-) through R1, with feedback from the output through R2.

Applying the properties of AO previously established ideal, the distinguishing characteristics of this circuit can be analyzed as follows. Since the amplifier has infinite gain, develop its output voltage, V0, with zero input voltage.
Since the differential input of A is:
Vd = Vp - Vn, ==> Vd = 0
And if Vd = 0, then the entire input voltage Vi, must appear in R1,

R1 obtaining a current Vn is a zero potential, is a virtual ground point
All the current I flowing through R1 and R2 will, since it does not derive any power to the input of the operational (infinite impedance), as well as the product of R and R2 is equal to - V0



Therefore:





then the gain of the inverting amplifier:

Be observed additional properties ideal inverting amplifier.
The gain can be varied by adjusting either R1 or R2. If R2 ranges from zero to infinity, the gain will also vary from zero to infinity, since it is directly proportional to R2. The input impedance is equal to R1, R1 Vi only determine the current I, so the current through R2 is always I, for any value of the R2. The entrance of the amplifier or the connection point of the input and feedback a signal is a zero voltage node, regardless of the current I. Then, this connection is a virtual ground point, a point will always be the same potential as the input (+). Therefore, this point is added the input and output signals, also known as lump sum.
This latter feature leads to the third basic axiom of operational amplifiers, which applies to closed-loop operation:

PPROYECTO EN ESPAÑOL



INTRODUCCIÓN

El presente informe, se incluyen no sólo el contenido si el proyecto si cada uno de los elementos de este circuito como sus hojas de datos y una breve explicación de quiénes son los fet y el amplificador operacional LM741 contiene el objetivo de lo realista si el circuito con la esperanza de que esta breve trabajo sea de su agrado los invito a leer OBJETIVO En muchas situaciones es deseable contar con un amplificador que proporciona una señal de salida de amplitud constante para una amplia gama de niveles de señal de entrada con una distorsión mínima. Una solución clásica a este problema es utilizar un amplificador lineal. Un operativo, por ejemplo, funciona como un amplificador lineal si se incluyen dos diodos en paralelo de hormigas en el circuito de retroalimentación. Esta estrategia, sin embargo, mientras que casi la amplitud de proporcionar la señal de salida constante, tiene un inconveniente: que genera una gran distorsión. Una solución más elegante es usar un circuito. En este caso, el elemento no lineal se sustituye por el FET (Q1) y sus componentes asociados. Cuando una pequeña señal se aplica a la explotación (741), su producción es pequeña. En consecuencia, la puerta del FET recibe una resistencia parcial y muy bajo entre el drenaje y la fuente es alta. Por lo tanto, la ganancia de tensión es alta. Lo contrario sucede si la señal de entrada es grande. Como resultado, el nivel medio de la señal de salida es la auto-regulada entre 1.5V y 2.85V en un rango de 50:1 de la variación en el nivel de la señal de entrada sin causar una distorsión audible.

MARCO TEÓRICO

En esta parte que conocemos el transistor FET de tipo

FET (transistor de efecto de campo)
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente a través de un canal de semiconductores, mediante la aplicación de un campo eléctrico perpendicular a la ruta actual.
El FET se compone de una parte de silicio tipo N, a lo que añadió dos regiones con impurezas tipo P llamada puerta (la puerta) y se unen entre sí. Véase la figura
Los terminales de este tipo de transistor llamado Hundimiento (drenaje), Fuente (fuente) y el tercer terminal es la puerta (la puerta) que ya se conoce. La región entre el drenaje y la fuente y ese es el camino necesario de electrones se denomina "canal". Fuga de los actuales flujos (D) de la fuente (S). Véase el gráfico.
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente del transistor bipolar. El terminal de drenaje se predispone positivamente con respecto a la terminal de alimentación (Vdd) y la puerta o la puerta está sesgada negativamente con respecto a la fuente (-VGG).
Cuanto mayor sea el voltaje, VGG, el canal es más estrecho y más difícil para que la corriente pase de la terminal de drenaje (desagüe) de la fuente o la fuente del terminal. La tensión-VGG para el que se cierra el canal se llama "punch-off" y es diferente para cada FET
El transistor de unión bipolar es un dispositivo de funcionamiento actuales y requieren cambios es la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por los cambios en el voltaje y la puerta
Voltaje (puerta) de la fuente (Vgs), cambia la región de rarefacción y hacer que el ancho del canal varía.

Característica del FET

Esta figura muestra que el aumento de la tensión Vds (voltaje de drenaje - fuente), para un Vgs (voltaje de la puerta) fijos, la corriente aumenta rápidamente (se comporta como una resistencia) para llegar a un punto A (voltaje de estricción), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta un punto B (entrando a la región de interrupción o ruptura), donde la corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se destruye.

Si esta cifra se repite para más de un voltaje de la puerta de la bomba (Vgs), se obtiene un conjunto de gráficos. Ver que Vgs es 0 voltios o un valor de tensión es negativa.

Si Vds es cero por el transistor no fluirá la corriente. (Ver gráfico a la derecha) para saber cuál es el valor actual utilizando la fórmula de la característica de transferencia de la FET.

Vea la tabla de la característica de transferencia de un canal del transistor FET de tipo P en el gráfico inferior derecho.

La fórmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)]) donde:
- IDSS es el valor de la corriente cuando Vgs = 0
- Vgs (off) es el voltaje cuando no hay flujo de corriente entre el drenaje y la fuente (ID = 0)
- Vgs es el voltaje a través de la puerta y la fuente para el que desea saber ID

RDS resistencia del canal

Como Vgs es el voltaje que controla el flujo de identificación actual (regula el ancho del canal), podemos comparar este comportamiento como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VDS. Esto sólo es válido para Vds menor que el voltaje de estricción (ver punto A en el gráfico.)
Así que si usted tiene la característica de un FET, se encuentra la resistencia a la RDS siguiente fórmula: RDS = VDS / ID


símbolos del FET son:


Fet del canal N ---- Fet de canal P
FET DEL TRANSISTOR
Transistor del FET (Introducción)
Conocidos son llamados transistores bipolares (NPN y PNP), llamada así porque el acto tiene lugar a través del movimiento de los portadores de ambas polaridades (huecos positivos y electrones negativos) y son útiles en muchas aplicaciones, pero tiene algunos inconvenientes, entre los cuales es su muy baja impedancia de entrada.
Hay un dispositivo que eliminar este problema en particular y pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portadores de carga, y por lo tanto, son de un solo polo. Se llama transistor de efecto de campo.
2) Una explicación de la combinación de los transportistas.
Puesto que existe una tensión positiva entre el desagüe y el tubo de salida, el flujo de electrones desde la bomba a la fuga (o viceversa dependiendo de la configuración de la misma), sino que también debe tenerse en cuenta que insignificante corriente fluye entre la fuente (o drenaje) y la puerta, y que el diodo formado por el canal de unión - la puerta, esta polarizado inversamente.
En el caso de un diodo sesgada a la inversa, los que inicialmente el flujo de huecos hacia el terminal negativo de la batería y los electrones en el material N, el flujo a la terminal positiva de la misma.
Lo anterior se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando VDS se incrementa con la creciente empobrecimiento de una región libre de cargos


Al seleccionar un transistor tiene que saber qué tipo de paquete, así como el esquema de identificación de los terminales. También tenemos que cumplir una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y poderes no debe superar para evitar la destrucción del dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico de temperatura, de modo que esta fuerza disminuye con el aumento del valor de la temperatura, y son a veces necesarios para instalar un radiador o aletas de refrigeración. Todos estos valores críticos son proporcionados por los fabricantes en las hojas de las características de los diferentes dispositivos.

AMPLIFICADORES OPERACIONALES

configuraciones básicas de los amplificadores operacionales El amplificador operacional se puede conectar en dos circuitos amplificadores básicos: las configuraciones (1) la inversión y (2) la inversión no. Casi todos los otros circuitos con amplificadores operacionales se basan, de alguna manera, en estas dos configuraciones básicas. Además, existen variaciones estrechamente relacionadas con estos dos temas, más otro circuito básico es una combinación de los dos primeros: el amplificador diferencial.


• El amplificador de inversión
Figura 2 ilustra la primera configuración básica de la AO. El amplificador inversor.En este circuito, la entrada de () se basa, y la señal se aplica a la entrada (-) a través de R1, con realimentación de la salida a través de R2.

La aplicación de las propiedades de los AO previamente establecidos ideal, las características distintivas de este circuito se puede analizar de la siguiente manera.Dado que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollará su tensión de salida, V0, con tensión de entrada cero. Desde la entrada diferencial de A es:
Vd = Vp - Vn, ==> Vd = 0
Y si Vd = 0, entonces la tensión de entrada Vi todo, debe aparecer en R1,

R1 obtener una corriente Vn es un potencial cero, es un punto de tierra virtual
Todos los que la corriente que atraviesa R1 y R2, ya que no se deriva ningún poder a la entrada de la explotación (impedancia infinita), así como el producto de R y R2 es igual a - V0



Por lo tanto:



entonces la ganancia del amplificador inversor:

Observar las propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. La ganancia se puede variar mediante el ajuste de R1 o R2. Si va R2 desde cero a infinito, la ganancia también puede variar de cero a infinito, ya que es directamente proporcional a R2. La impedancia de entrada es igual a R1, R1 Vi sólo determinan la corriente I, por lo que la corriente a través de R2 es siempre yo, para cualquier valor de la R2. La entrada del amplificador o el punto de conexión de la entrada y una señal de retroalimentación es un nodo de voltaje cero, independientemente de la corriente I. Luego, esta conexión es un punto de tierra virtual, un punto será siempre el mismo potencial que el de entrada ( ). Por lo tanto, este punto se añade las señales de entrada y salida, también conocido como cantidad a tanto alzado. Esta última característica conduce al tercer axioma básico de los amplificadores operacionales, que se aplica a la operación a circuito cerrado: